실리콘의 한계를 넘은 고성능 GaN 반도체 기술ㅣRFHIC 특집다큐

핵심 요약

• 질화갈륨(GaN) 반도체는 기존 실리콘 반도체의 한계를 극복할 수 있는 고출력, 고효율, 넓은 대역폭의 장점을 지니고 있음 → 이는 많은 데이터를 빠르게 주고받아야 하는 통신 분야에서 특히 중요하며, GaN은 기존 실리콘으로는 달성하기 어려운 성능을 제공함 → GaN은 미래 기술의 핵심으로 주목받고 있음
• GaN 반도체의 생산 과정은 까다로운 에피텍시 공정을 거쳐 기판 위에 결정층을 성장시켜야 함 → 이러한 복잡한 공정에도 불구하고 GaN 반도체를 만드는 이유는 기존 실리콘 반도체로는 넘기 어려운 한계 때문임
• GaN 반도체의 핵심 장점은 더 높은 출력과 효율, 그리고 더 넓은 대역폭을 제공한다는 것임 → 특히 통신 분야에서는 많은 데이터를 빠르게 주고받아야 하므로 대역폭이 중요하며, GaN은 더 많은 신호를 한꺼번에 보낼 수 있는 능력을 갖춤