실리콘을 넘어선 반도체, GaN의 시대가 온다ㅣRFHIC 특집다큐 - 1부

핵심 요약

• RFHIC는 26년간 고주파 RF 기술을 기반으로 질화갈륨(GaN)을 활용한 트랜지스터와 전력 증폭기 등 핵심 부품을 개발 및 생산하고 있습니다. → 발언자는 RFHIC가 고주파, 고출력 RF 영역에서 전력 증폭기 솔루션을 제공하는 기업임을 설명 → 통신, 방산, 위성, 에너지 시장에서 높은 출력, 주파수, 대역폭 요구에 부응하는 핵심 기술력을 보유하고 있음을 강조
• RFHIC의 기술은 통신망의 전파 증폭, 현대전의 핵심인 레이더 성능 향상, 위성 통신 시스템, 그리고 산업 공정에서의 에너지 제어 및 전달 등 다양한 분야에 적용되고 있습니다. → 발언자는 RFHIC의 기술이 서로 다른 네 개의 산업에서 공통적으로 필요한 'GaN 전력 증폭기'로 연결됨을 설명 → RFHIC 매출의 95% 이상이 GaN 기반으로 발생하며, 이는 GaN 기술이 회사의 핵심 경쟁력임을 시사
• GaN(질화갈륨)은 실리콘보다 높은 온도에서 작동하고 더 높은 파워를 낼 수 있으며, 넓은 대역폭을 제공하는 장점을 가집니다. → 발언자는 GaN 반도체가 기존 실리콘 반도체의 150도 이상의 온도 한계를 극복하고 225~275도까지 작동 가능하며, 실리콘 대비 밴드갭이 높아 동작 온도, 파괴 전압 등에서 우수함을 설명 → 이는 고온 환경이나 높은 전력 요구 사항이 있는 방산, 통신 분야에 유리함을 강조